एल्युमिनियम नाइट्राइड क्रूसिबल ALN एल्युमिनियम क्रूसिबल
उत्पादन प्रस्तुति
AlN एल्युमिना को थर्मल कमी वा एल्युमिना को प्रत्यक्ष नाइट्राइड द्वारा संश्लेषित छ।यसमा मार्कमोनिटर-३ द्वारा दर्ता र संरक्षित ३.२६ को घनत्व छ, यद्यपि यो पग्लिदैन, वायुमण्डलमा २५०० डिग्री सेल्सियसभन्दा माथि विघटन हुन्छ।सामग्री सहसंयोजित रूपमा बाँडिएको छ र तरल-बनाउने additive को मद्दत बिना sintering को प्रतिरोध गर्दछ।सामान्यतया, Y 2 O 3 वा CaO जस्ता अक्साइडहरूले 1600 र 1900 °C बीचको तापक्रममा सिन्टेरिङ हासिल गर्न अनुमति दिन्छ।
एल्युमिनियम नाइट्राइड उत्कृष्ट व्यापक प्रदर्शनको साथ एक सिरेमिक सामग्री हो, र यसको अनुसन्धान एक सय भन्दा बढी वर्ष पहिले पत्ता लगाउन सकिन्छ।यो 1862 मा फेला परेको F. Birgeler र A. Geuhter मिलेर बनेको छ, र JW MalletS द्वारा 1877 मा एल्युमिनियम नाइट्राइड पहिलो पटक संश्लेषित गरिएको थियो, तर यो 100 वर्ष भन्दा बढीको लागि कुनै व्यावहारिक प्रयोग थिएन, जब यो रासायनिक मलको रूपमा प्रयोग भएको थियो। ।
किनभने एल्युमिनियम नाइट्राइड एक सहसंयोजक यौगिक हो, सानो स्व-प्रसार गुणांक र उच्च पिघलने बिन्दुको साथ, यसलाई सिन्टरिङ गर्न गाह्रो छ।यो 1950 को दशक सम्म थिएन कि एल्युमिनियम नाइट्राइड सिरेमिक पहिलो पटक सफलतापूर्वक उत्पादन गरिएको थियो र शुद्ध फलाम, आल्मुनियम र एल्युमिनियम मिश्र को smelting मा दुर्दम्य सामग्री को रूप मा प्रयोग गरियो।1970s देखि, अनुसन्धान को गहिरो संग, एल्युमिनियम नाइट्राइड को तयारी प्रक्रिया बढ्दो परिपक्व भएको छ, र यसको आवेदन दायरा विस्तार भएको छ।विशेष गरी २१ औं शताब्दीमा प्रवेश गरेपछि, माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स टेक्नोलोजीको द्रुत विकासको साथ, इलेक्ट्रोनिक मेसिन र इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू लघुकरण, हल्का, एकीकरण, र उच्च विश्वसनीयता र उच्च शक्ति आउटपुट दिशा, सब्सट्रेट र गर्मी अपव्ययको प्याकेजिङ्ग सामग्रीहरूको थप जटिल उपकरणहरू राखिएको छ। अगाडि उच्च आवश्यकताहरू, थप एल्युमिनियम नाइट्राइड उद्योगको बलियो विकास प्रवर्द्धन।
मुख्य विशेषताहरु
AlN धेरै जसो पिघलाएका धातुहरू, विशेष गरी एल्युमिनियम, लिथियम र तामाको क्षरणको प्रतिरोध गर्दछ
यो क्लोराइड र क्रायोलाइट सहित पिघलेको नुनको धेरै क्षरण प्रतिरोधी छ
सिरेमिक सामग्रीको उच्च थर्मल चालकता (बेरिलियम अक्साइड पछि)
उच्च मात्रा प्रतिरोधात्मकता
उच्च डाइलेक्ट्रिक शक्ति
यो एसिड र क्षार द्वारा नष्ट हुन्छ
पाउडर फारममा, यो सजिलै पानी वा नमी नमी द्वारा हाइड्रोलाइज गरिएको छ
मुख्य आवेदन
1, piezoelectric उपकरण आवेदन
एल्युमिनियम नाइट्राइडमा उच्च प्रतिरोधात्मकता, उच्च थर्मल चालकता (Al2O3 को 8-10 गुणा), र सिलिकन जस्तै कम विस्तार गुणांक छ, जुन उच्च तापमान र उच्च शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको लागि एक आदर्श सामग्री हो।
2, इलेक्ट्रोनिक प्याकेजिङ्ग सब्सट्रेट सामग्री
सामान्यतया प्रयोग हुने सिरेमिक सब्सट्रेट सामग्रीहरू बेरिलियम अक्साइड, एल्युमिना, एल्युमिनियम नाइट्राइड, आदि हुन्, जसमा एल्युमिना सिरेमिक सब्सट्रेटको थर्मल चालकता कम हुन्छ, थर्मल विस्तार गुणांक सिलिकनसँग मेल खाँदैन;यद्यपि बेरिलियम अक्साइडमा उत्कृष्ट गुणहरू छन्, तर यसको पाउडर अत्यधिक विषाक्त छ।
अवस्थित सिरेमिक सामग्रीहरू जुन सब्सट्रेट सामग्रीको रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ, सिलिकन नाइट्राइड सिरेमिकमा उच्चतम झुकाउने शक्ति, राम्रो पहिरन प्रतिरोध, उत्तम व्यापक मेकानिकल प्रदर्शनको साथ सिरेमिक सामग्री, र सबैभन्दा सानो थर्मल विस्तार गुणांक छ।एल्युमिनियम नाइट्राइड सिरेमिकमा उच्च थर्मल चालकता, राम्रो थर्मल प्रभाव प्रतिरोध छ, र अझै पनि उच्च तापमानमा राम्रो यांत्रिक गुणहरू छन्।कार्यसम्पादनको सन्दर्भमा, एल्युमिनियम नाइट्राइड र सिलिकन नाइट्राइड हाल इलेक्ट्रोनिक प्याकेजिङ सब्सट्रेटहरूको लागि सबैभन्दा उपयुक्त सामग्रीहरू हुन्, तर तिनीहरूसँग पनि एक साझा समस्या छ कि मूल्य धेरै उच्च छ।
3, र luminescent सामग्रीमा लागू गरिन्छ
एल्युमिनियम नाइट्राइड (AlN) को प्रत्यक्ष ब्यान्डग्याप ग्यापको अधिकतम चौडाइ 6.2 eV हो, जसमा अप्रत्यक्ष ब्यान्डग्याप अर्धचालकको तुलनामा उच्च फोटोइलेक्ट्रिक रूपान्तरण दक्षता छ।AlN एक महत्त्वपूर्ण नीलो प्रकाश र UV प्रकाश उत्सर्जन गर्ने सामग्रीको रूपमा, यो UV / गहिरो UV प्रकाश-उत्सर्जक डायोड, UV लेजर डायोड र UV डिटेक्टरमा लागू हुन्छ।यसबाहेक, AlN ले समूह III नाइट्राइडहरू जस्तै GaN र InN सँग निरन्तर ठोस समाधानहरू बनाउन सक्छ, र यसको टर्नरी वा क्वाटरनरी मिश्र धातुले यसको ब्यान्ड ग्यापलाई देखिने देखि गहिरो पराबैंगनी ब्यान्डहरूमा समायोजन गर्न सक्छ, यसले यसलाई महत्त्वपूर्ण उच्च-प्रदर्शन ल्युमिनेसेन्ट सामग्री बनाउँछ।
4, जुन सब्सट्रेट सामग्रीहरूमा लागू हुन्छ
AlN क्रिस्टलहरू GaN, AlGaN साथै AlN epitaxial सामग्रीहरूको लागि एक आदर्श सब्सट्रेट हो।नीलमणि वा SiC सब्सट्रेटसँग तुलना गर्दा, AlN सँग GaN सँग धेरै थर्मल मिल्दोजुल्दो छ, उच्च रासायनिक अनुकूलता छ, र सब्सट्रेट र एपिटेक्सियल तह बीचको तनाव कम छ।तसर्थ, जब AlN क्रिस्टललाई GaN epitaxial सब्सट्रेटको रूपमा प्रयोग गरिन्छ, यसले उपकरणमा दोष घनत्वलाई धेरै कम गर्न सक्छ, उपकरणको कार्यसम्पादनमा सुधार गर्न सक्छ, र उच्च तापक्रम, उच्च आवृत्ति र उच्च शक्ति इलेक्ट्रोनिकको तयारीमा राम्रो अनुप्रयोग सम्भावना छ। उपकरणहरू।
थप रूपमा, उच्च एल्युमिनियम (Al) कम्पोनेन्टको रूपमा AlN क्रिस्टलको साथ AlGaN epitaxial सामग्री सब्सट्रेटले पनि प्रभावकारी रूपमा नाइट्राइड एपिटेक्सियल तहमा दोष घनत्व कम गर्न सक्छ, र नाइट्राइड अर्धचालक उपकरणको प्रदर्शन र सेवा जीवनमा ठूलो सुधार गर्दछ।AlGaN मा आधारित उच्च गुणस्तरको दैनिक अन्धा डिटेक्टरहरू सफलतापूर्वक लागू गरिएको छ।
5, सिरेमिक र अपवर्तक सामग्रीमा प्रयोग गरिन्छ
एल्युमिनियम नाइट्राइड स्ट्रक्चरल सिरेमिक, तयार एल्युमिनियम नाइट्राइड सिरेमिकको सिंटरिङमा लागू गर्न सकिन्छ, राम्रो मेकानिकल गुण मात्र होइन, फोल्डिंग बल Al2O3 र BeO सिरेमिकहरू भन्दा उच्च छ, उच्च कठोरता, तर उच्च तापमान र जंग प्रतिरोध पनि।AlN सिरेमिक ताप प्रतिरोध र जंग प्रतिरोध प्रयोग गरेर, यो उच्च तापमान जंग प्रतिरोधी भागहरू जस्तै क्रूसिबल र अल वाष्पीकरण प्लेट बनाउन प्रयोग गर्न सकिन्छ।थप रूपमा, शुद्ध AlN सिरेमिकहरू रंगहीन पारदर्शी क्रिस्टलहरू हुन्, उत्कृष्ट अप्टिकल गुणहरूका साथ, र पारदर्शी सिरेमिकहरू इलेक्ट्रोनिक अप्टिकल उपकरणहरू निर्माण गर्न उच्च तापमान इन्फ्रारेड विन्डो र गर्मी प्रतिरोधी कोटिंगको रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ।
6. कम्पोजिटहरू
Epoxy राल / AlN कम्पोजिट सामग्री, प्याकेजिङ्ग सामग्रीको रूपमा, राम्रो थर्मल चालकता र गर्मी अपव्यय क्षमता चाहिन्छ, र यो आवश्यकता बढ्दो कडा छ।राम्रो रासायनिक गुण र मेकानिकल स्थिरता संग एक बहुलक सामग्री को रूप मा, epoxy राल कम संकुचन दर संग, उपचार गर्न सजिलो छ, तर थर्मल चालकता उच्च छैन।इपोक्सी रालमा उत्कृष्ट थर्मल चालकताको साथ AlN न्यानो कणहरू थपेर, थर्मल चालकता र शक्तिलाई प्रभावकारी रूपमा सुधार गर्न सकिन्छ।
